2024年11月22日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“GaN單晶襯底的HEMT外延結(jié)構(gòu)和外延方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN118983336A，申請(qǐng)日期為2024年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)一種GaN單晶襯底的HEMT外延結(jié)構(gòu)，包括GaN單晶襯底以及依次生長(zhǎng)于所述GaN單晶襯底上的GaN緩沖層、低溫應(yīng)力調(diào)控層、GaN高阻層、AlyGa1?yN背勢(shì)壘層、GaN溝道層、AlzGa1?zN勢(shì)壘層以及GaN帽層，所述低溫應(yīng)力調(diào)控層為InxGa1?xN固溶體薄膜層或InN/GaN超晶格層，其中，0≤x≤0.1，0.05≤y≤0.15，0.2≤z≤0.3。本發(fā)明通過(guò)在GaN緩沖層上設(shè)置低溫應(yīng)力調(diào)控層來(lái)調(diào)控外延生長(zhǎng)過(guò)程中，特別是AlzGa1?zN勢(shì)壘層生長(zhǎng)時(shí)的翹曲度，以獲得更優(yōu)異的厚度和組分均勻性的HEMT外延結(jié)構(gòu)，特別是大尺寸的HEMT外延結(jié)構(gòu)以使得HEMT器件一致性好。